时间:2025-12-05 17:42:54来源:21ic电子网
电子元器件的失效可能由多种因素引起,了解这些原因及相应的检测方法对于提高产品的可靠性和性能至关重要。以下是常见的失效原因及检测方法。
失效原因
1. 环境因素:
- 温度:过高或过低的温度会导致元器件性能下降,甚至失效。
- 湿度:高湿度环境可能导致绝缘失效或腐蚀。
- 尘埃和污染:灰尘和化学污染物可能导致短路或电气性能下降。
2. 电气应力:
- 过电压:超过额定电压会导致击穿或损坏。
- 过电流:超出额定电流会引发过热和烧毁。
- 电磁干扰:外部电磁场可能影响元器件的正常工作。
3. 机械应力:
- 振动和冲击:机械振动和冲击可能导致焊点或内部结构损坏。
- 热循环:热胀冷缩可能导致材料疲劳和失效。
4. 材料缺陷:
- 制造缺陷:生产过程中可能出现的缺陷,如焊接不良、材料不均匀等。
- 老化:材料随着时间的推移可能会退化,导致性能下降。
5. 设计缺陷:
- 不合理的设计:设计不当可能导致元器件在特定条件下无法正常工作。
常见检测方法
1. 视觉检查:
- 使用显微镜或放大镜检查元器件表面是否有明显的物理损伤、裂纹或焊接缺陷。
2. 电气测试:
- 直流电阻测试:测量元器件的直流电阻,判断其导通性。
- 交流阻抗测试:用于评估电容器和电感器的性能。
3. 热成像检测:
- 使用热成像仪检测元器件的温度分布,识别过热区域和潜在故障点。
4. 功能测试:
- 在实际工作条件下测试元器件的功能,确保其正常工作。
5. 老化测试:
- 在高温、高湿环境下对元器件进行加速老化测试,评估其长期可靠性。
6. X射线检查:
- 使用X射线设备检查焊接质量和内部结构,识别潜在的内部缺陷。
7. 电磁兼容性(EMC)测试:
- 测试元器件对电磁干扰的抵抗能力,确保其在电磁环境中的稳定性。
8. 失效分析:
- 对失效元器件进行分析,确定失效原因,常用方法包括扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析(EDX)等。
电子元器件失效原因解析> 温度的影响
温度是影响电子元器件失效的主要因素之一,特别是对于半导体器件,影响显著。温度变化对其性能有着显著的影响。由于P-N结的正向压降对温度反应敏感,因此以P-N结为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件,其电压传输特性和抗干扰度都与温度紧密相关。
随着温度的升高,P-N结的正向压降会逐渐减小,这会导致元件的低电平抗干扰电压容限缩小,而高电平抗干扰电压容限则增大。这种变化会引起输出电平的偏移、波形失真、稳态失调等问题,严重时甚至可能导致热击穿。
此外,构成双极型半导体器件的P-N结对温度变化非常敏感,当P-N结处于反向偏置状态时,由少数载流子形成的反向漏电流也会受到温度变化的影响。
公式表明,当温度从TR℃升高到T°C时,反向漏电流ICQ将增加,且每升高10℃,ICQ的增加量将达到一倍。这种变化会导致晶体管放大器的工作点发生漂移,进而影响晶体管的电流放大系数和特性曲线,最终使得动态范围缩小。
温度与允许功耗之间存在着密切的联系。随着温度的升高,允许功耗也会相应地发生变化。这种变化不仅会影响晶体管的工作状态,还会进一步影响到电路的整体性能。温度上升会导致晶体管的最大允许功耗降低。而电阻的热噪声会增加,阻值可能偏离其标称值。然而,电阻的这一特性并非全然不利。例如,特别设计的PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻)的阻值对温度变化非常敏感,这使得它们可以当作传感器使用。
> 湿度的影响
高湿度会导致电路板焊点腐蚀和漏电,引发漏电耦合的问题;另一方面,湿度过低则容易产生静电,对元器件造成损害。因此,维持合理的环境湿度至关重要。
> 过高电压的影响
过高电压同样是导致元器件失效的重要因素。为了确保元器件的正常工作,必须保证施加在它们上的电压稳定性。 过高电压会加重元器件的热损耗,甚至可能引发电击穿。以电容器为例,其失效率与施加在电容两端的电压的5次幂成正比。而对于集成电路,超过其最大允许电压的电压将直接造成器件的损坏。
> 振动与冲击的影响
振动和冲击是导致元器件失效的重要因素。 振动与冲击会加速元器件内部缺陷发展的进程,可能导致焊点松动和接触不良。机械振动会使内部有缺陷的元件更快失效,造成严重故障。若振动使导线发生不应有的接触,则可能产生意外的后果。
02电子元器件失效类型分析> 电阻器失效分析
电阻器、电位器的失效机理因类型而异。 电阻器失效包括开路、变质等。碳膜电阻器可能因引线断裂、基体缺陷、膜层均匀性不佳等问题而失效。金属膜电阻器则可能因电阻膜不均匀、破裂,引线不牢,电阻膜分解等复杂因素而受损。
对于非线形电阻器和电位器,常见的失效原因包括开路、阻值漂移、引线机械损伤及接触损坏等。值得注意的是,电阻器容易发生变质和开路故障,其中变质往往表现为阻值增大。一旦电阻器出现变质或开路,通常建议直接更换新件,而不进行修复。
> 电容器失效分析
电容器在运行过程中可能遇到的问题包括击穿、开路、电参数退化等。 电容器常见失效模式包括击穿和开路。击穿是电容器常见的失效模式之一,可能是由于介质中存在疵点、缺陷、杂质或导电离子。
开路则是另一种常见的失效模式。这通常是由于击穿导致电极和引线绝缘,或者电解电容器阳极引出箔被腐蚀断。
> 电感与变压器失效分析
外部因素如负载短路、受潮等是导致电感和变压器故障的主要原因。 被烧毁的电感和变压器的故障现象及原因有多种。当变压器接通电源后,若铁心发出嗡嗡声,可能原因是铁心未夹紧或负载过重。若出现发热、冒烟、有焦味或保险丝烧断,则可能是线圈短路或负载过重所致。
失效机理类型与影响因素
性能失效:如电阻膜烧毁或脱落导致开路,电解电容器因电解液挥发耗尽致容量下降。
安全性失效:如热失控引发爆炸,或内层空洞导致电场集中、局部过热及短路烧毁。
关键影响因素:
温度:每升高10℃,半导体漏电流倍增,电容寿命减半。
电压:过压致电击穿,电容失效率与电压5次幂正相关。
湿度:高湿腐蚀焊点,低湿引发电静电。
机械应力:振动致焊点松动或结构裂纹。
分析方法与预防
通过X射线衍射、电化学阻抗谱及工业CT扫描定位缺陷,结合材料全生命周期数据建模预测。预防需加强来料管控(如超声扫描筛查空洞)、优化设计(如选用耐瞬时过电压器件),并建立失效知识库以改进工艺。
失效分析在产品的可靠性质量保证和提高中发挥着重要作用,在产品的研发、生产、使用中都需要引入失效分析工作。金鉴实验室提供电子元器件失效分析的检测服务,金鉴实验室拥有专业LED质量工程师团队及高精度电子元器件检测设备,具有精湛的技术与经验。经过长时间的严格执行,现已得到行业内各厂家一致认可。
温度对元件失效的影响
1.温度对半导体器件失效的影响
环境温度是导致元件失效的关键因素之一。半导体器件的核心结构是 P-N 结,其对温度变化极为敏感。当 P-N 结处于反向偏置状态时,由少数载流子形成的反向漏电流会随着温度变化而改变。
其中,ICQ 为温度 T 时的反向漏电流,ICQR 为温度 TR 时的反向漏电流,T−TR 为温度变化的绝对值。
从该公式可以看出,温度每升高 10℃,反向漏电流 ICQ 将增加一倍。这一变化会导致晶体管放大器的工作点发生漂移,晶体管的电流放大系数发生变化,特性曲线也随之改变,动态范围变小。
其中,PCM 为最大允许功耗,TjM 为最高允许结温,T 为使用环境温度,RT 为热阻。从该公式可以看出,温度升高会使晶体管的最大允许功耗下降。
此外,由于 P-N 结的正向压降受温度影响较大,以 P-N 结为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(如 TTL、HTL 等集成电路的)电压传输特性和抗干扰度也与温度密切相关。
当温度升高时,P-N 结的正向压降减小,其开门和关门电平都会减小,这使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度升高而变小,高电平抗干扰电压容限随温度升高而增大,从而导致输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至可能出现热击穿现象。
2.温度对电阻失效的影响
温度变化对电阻的影响主要体现在以下几个方面。首先,温度升高时,电阻的热噪声会增加,导致阻值偏离标称值。其次,电阻的允许耗散功率也会下降。例如,RXT 系列的碳膜电阻在温度升高到 100℃时,其允许的耗散功率仅为标称值的 20%。然而,电阻的这一特性也可以被利用。
例如,经过特殊设计的 PTC(正温度系数热敏电阻)和 NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度影响较大。对于 PTC,当其温度升高到某一阈值时,电阻值会急剧增大。
当因某种故障导致通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC 的温度急剧升高,电阻值随之变大,从而限制通过它的电流,达到保护电路的目的。而当故障排除后,通过它的电流减小,PTC 的温度恢复正常,电阻值也恢复到正常值。对于 NTC,其特点是电阻值随温度升高而减小。
3.温度对电容失效的影响
温度变化会对电容产生多方面的影响。首先,温度升高会导致电容的介质损耗发生变化,从而影响其使用寿命。一般来说,温度每升高 10℃,电容器的寿命会降低 50%。
其次,温度变化还会引起阻容时间常数的变化。此外,如果温度过高导致介质损耗过大,还可能出现热击穿的情况。同时,温度升高也会使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。
湿度对元件失效的影响
湿度过高会对元件产生不良影响。当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,会腐蚀元器件的焊点与接线处,导致焊点脱落、接头断裂。此外,湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因之一。而湿度过低则容易产生静电,对元件造成损害。
因此,环境的湿度应控制在合理的水平,以确保元件的正常工作和使用寿命。金鉴实验室拥有先进的测试设备和专业团队,能够为客户提供全面的MSL湿气敏感性测试服务,确保元件在使用过程中的可靠性。
过高电压对元件失效的影响
施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会对元器件造成严重损害。
首先,过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至导致电击穿。对于电容器而言,其失效率与电电压容的 5 次幂成正比。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将直接导致器件损坏。电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。
主动元件和被动元件失效的表现形式虽略有差别,但都有电压允许上限。例如,晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件造成损伤。对于二极管、电容等元件,电压超过其耐压值会导致它们击穿。如果能量很大,还会导致热击穿,使元件报废。
振动与冲击对元件失效的影响
机械振动与冲击会对元件产生不良影响。首先,机械振动会使一些内部有缺陷的元件加速失效,从而引发灾难性故障。其次,机械振动还会导致焊点、压线点松动,造成接触不良。
此外,若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意想不到的后果。电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,也是元器件常见的损坏原因之一。其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(即大家常说的烧坏)。这种损害是由电气系统中的脉冲导致的一种常见现象。
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