随着消费电子行业的快速发展，芯片的应用范围越来越广泛。在芯片生产工艺中，固晶机作为关键设备，提升产能和加工精度对绝大多数设备厂家来说至关重要。

　　为满足固晶机高速度和高精度的需求，雷赛控制卡开发了指令缓存算法以匹配行业需求。指令缓存通过添加缓存指令的方式实现点胶和固晶等工艺流程，有效减少了与上位机的判断和控制卡的数据交互，从而大幅度减少通信时间，提高工艺流程的执行效率和流畅度。

　　雷赛控制卡的指令缓存算法的详细介绍，下面我们将以实例展示其是如何满足固晶机高速度和高精度的需求。

　　工艺要求

　　一般固晶机工艺流程：

　　常见固晶机结构包括以下部分组成：

　　左边是晶圆盘(x/y轴)，中间是固晶模组，包含有固晶上下轴(z轴)，还有固晶摆臂轴(u轴)，右边是待加工的工件。

　　使用指令缓存实现固晶的主要动作流程：

　　实例代码

　　左右滑动可查看完整代码☟

　　1 ushort mark = 0, card = 3, group = 0, axis_num = 2;

　　2 ushort[] axis_list = new ushort[2] { 0, 1 };

　　3 ushort axis_z = 0, axis_u = 1;

　　4 double start_vel = 1000, stop_vel = 1000, max_vel = 200000, tacc = 0.01, tdec = 0.01;

　　5 double z_OPos = 16000;

　　6 //z、u轴取晶位置

　　7 double z_GetPos = 10000;//取晶位

　　8 double u_GetPos = 0;//取晶位

　　9 //z、u轴固晶位置

　　10 double SafePos = 11800;//安全位

　　11 double z_SolidPos = 10000;//固晶位;

　　12 double u_SolidPos = 9000;//固晶位

　　13 double test_Pos0 = 1200;

　　14 double test_Pos1 = 7800;

　　15

　　16 LTDMC.dmc_set_position_unit(card, axis_z, 20000);

　　17 LTDMC.dmc_set_position_unit(card, axis_u, 0);

　　18 LTDMC.dmc_m_open_list(card,group,axis_num,axis_list);

　　19 LTDMC.dmc_m_start_list(card,group);

　　20 LTDMC.dmc_m_set_profile_unit(card, group, axis_z, start_vel, max_vel, tacc, tdec, stop_vel);

　　21 LTDMC.dmc_m_set_profile_unit(card, group, axis_u, start_vel, max_vel, tacc, tdec, stop_vel);

　　22

　　23 #region 取晶固晶

　　24 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);

　　25 mark++;

　　26 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_u, 0, 0, (ushort)mark);

　　27 mark++;

　　28 int i = 0;

　　29 while(i < 10)

　　30 {

　　31 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_GetPos, mark);//z轴走到取晶位

　　32 mark++;

　　33 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);//等待z轴停止

　　34 mark++;

　　35 LTDMC.dmc_m_add_time_delay(card, group, 10, mark);//等待取晶完成

　　36 mark++;

　　37 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_OPos, mark);//z轴上升

　　38 mark++;

　　39 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_z, 0, SafePos, (ushort)mark);//等待z轴走到安全位

　　40 mark++;

　　41 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_u, u_SolidPos, mark);//u轴走到固晶位

　　42 mark++;

　　43 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_u, 0, test_Pos1, (ushort)mark);//等待u轴走到下降检测位

　　44 mark++;

　　45 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_SolidPos, mark);//z轴走到固晶位

　　46 mark++;

　　47 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitMoveDone, axis_z, 0, 0, (ushort)mark);//等待z轴停止

　　48 mark++;

　　49 LTDMC.dmc_m_add_time_delay(card, group, 20, mark);//等待固晶完成

　　50 mark++;

　　51 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_OPos, mark);//z轴上升

　　52 mark++;

　　53 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_z, 0, SafePos, (ushort)mark);//等待z轴走到安全位

　　54 mark++;

　　55 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_u, u_GetPos, mark);//u轴走到取晶位

　　56 mark++;

　　57 LTDMC.dmc_m_add_wait_event_data(card, group, (ushort)enumWaitEvent.WaitEncoder, axis_u, 1, test_Pos0, (ushort)mark);//等待u轴走到下降检测位

　　58 mark++;

　　59 LTDMC.dmc_m_add_sigaxis_moveseg_data_ex(card, group, axis_z, z_GetPos, mark);//z轴走到取晶位

　　60 mark++;

　　61 i++;

　　62 }

　　63 #endregion

　　64 LTDMC.dmc_m_close_list(card,group);

　　效果对比

　　01

　　使用指令缓存的位置曲线和速度曲线图：

　　指令缓存位置-时间曲线

　　指令缓存速度-时间曲线 滑动查看更多》

　　02

　　普通pmove实现的位置曲线和速度曲线图

　　普通点位运动位置-时间曲线

　　普通点位运动速度-时间曲线 滑动查看更多》

　　由以上案例我们可以看出，使用指令缓存方式进行10次加工只需2.381s，而使用普通的点位运动进行10次加工需要3.296s，整整省掉了915ms!

　　(此数据仅代表上述用例中的输入参数得出，实际现场加工的数据会有差异)

　　IC固晶机解决方案

　　优势

　　1.优化指令执行过程，减少信息交互时间，提高指令执行效率。

　　2.使用指令缓存方式，使取晶和固晶动作更流畅、柔和，实现更快速、精准的操作。

　　3.数据对比显示，使用指令缓存功能比常规单段点位运动快15%~20%。实际应用中，工件加工速度提升至每小时15k，甚至16-17k。

　　—END—